除了进步N2、A16、A14等采用GAAFET全环绕晶体管的最新工艺，台积电还在持续挖掘传统FinFET立体晶体管的极点，最后一代用它的N3系列工艺节点仍在不断演进。

在美国举办的北美技术论坛2025上，台积电新鲜公布，3nm级工艺的第三代N3P已经在2024年第四季度投入量产，第四代N3X则会在现在下半年投产。

N3P就是第二代N3E的更新版，面给需要高性能的客户端、数据中心应用，同时保持IP和设计兼容。

按照官方数据，N3P同等功耗下的性能可再提高约5%，而同等性能下的功耗可再降低5-10%，另外晶体管密度提高4%，尤其是SRAM缩放的提高较为明显。

苹果M3/M4、高通骁龙8至尊版、联发科天玑9400/9400+等都用的N3E工艺，不了解现在的更新换代会不会都上N3P?还是直奔N2?

N3X则是N3P的再次更新版，可继续将同等功耗性能提高5%，同等性能功耗降低7%。

更决定因素的是，N3X支持顶尖达1.2V的电压，从而将频率、性能挖掘到极点，但代价就是漏电率骤然增大最多250%，因此芯片设计要特别慎重。

根据路线图，台积电N3明年还会有N3A、N3C两个版本，但未做具体说明，从定位看N3C是最低成本，定位很低。

PS：台积电N3其实还有个独特版本N3B，但性能和成本都不算太好，大客户中只有Intel一家在用，就是Lunar Lake、Arrow Lake，妥妥的大冤种。